FAIRCHILD MMBT2222AT NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 MMBT2222AT是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种NPN结型硅晶体管。它是一款通用放大器晶体管，适用于所有类型的超小型表面贴装封装。它还可用于一般开关和放大应用。
FAIRCHILD KST92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST92/KST93 是FAIRCHILD生产的PNP型电晶体，具有高电压、高电流、宽SOA特性。
FAIRCHILD KST5551 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST5551是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为160伏，最大集电极电流为600毫安，最大功率耗散为350毫瓦。
FAIRCHILD KST5550 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation于2002年推出的KST5550 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管具有高电压特性和较高的直流电流增益。
FAIRCHILD KST55/56 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST55/56是Fairchild公司生产的PNP型电晶体，其最大集电极-发射极电压为-60V/-80V，最大集电极-发射极饱和电压为-60V/-80V，最大集电极电流为-500mA，最大集电极功耗为350mW，最大工作温度为150℃，其封装形式为SOT-23。
FAIRCHILD KST5401 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST5401是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型高压晶体管。它具有-160V的最大集电极-基极电压、-150V的最大集电极-发射极电压、-5V的最大发射极-基极电压、-500mA的最大集电极电流和350mW的最大集电极功耗。它可以在150℃的存储温度下工作。
FAIRCHILD KST4403 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文件介绍了KST4403 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。其中包括其工作电压、电流、功率耗散和温度范围等。此外，还提供了其基本参数，如集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、基极截止电流、集电极截止电流、直流电流增益、饱和电压、频带宽度乘积、输出电容和开关时间等。
FAIRCHILD KST4401 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST4401是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型晶体管，其最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极-基极电压为60V，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极电流为600mA，最大集电极功耗为350mW，存储温度为150℃。
FAIRCHILD KST3906 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST3906是Fairchild公司生产的一款PNP型硅晶体管，其最大集电极-基极电压为-40V，最大集电极-发射极电压为-40V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-200mA，最大集电极功耗为350mW，最大储存温度为150℃。
FAIRCHILD KST2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型NPN三极管，其最大电流为-600mA，最大功率为350mW，工作温度范围为-55~150℃。
FAIRCHILD KST2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST2222A 是 NPN 型三极管，最大集电极-发射极电压为 40 V，最大集电极-发射极反向电压为 75 V，最大发射极-基极电压为 6 V，最大集电极电流为 600 mA，最大集电极功耗为 350 mW。
FAIRCHILD KST05/06 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST05/06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为60V，最大集电极-发射极饱和电压为0.25V，最大发射极-基极电压为4V，最大集电极电流为500mA，最大功耗为350mW，封装类型为SOT-23。
