FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY171, CNY172, CNY173, CNY174, CNY17F1, CNY17F2, CNY17F3, CNY17F4, MOC8101, MOC8102, MOC8103, MOC8104, MOC8105, MOC8106, MOC8107, MOC8108 Phototransistor Optocouplers 数据手册 CNY17X, CNY17FX, MOC810X 光电耦合器产品特点：可选白色封装、UL认证、VDE认证、高BV CEO、低寄生电容、紧密匹配的光电转换比
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series 4-Pin High Operating Temperature Phototransistor Optocouplers 说明书 该数据手册介绍了fairchild公司的FOD814系列、FOD617系列、FOD817系列4引脚高工作温度光电耦合器的特点和特性。
FAIRCHILD 6-PIN DIP ZERO-CROSS PHOTOTRIAC DRIVER OPTOCOUPLER Data Sheet MOC306X-M和MOC316X-M是由GaAs红外发射二极管和单片硅探测器光耦合而成的零电压交叉双向可控硅驱动器。它们设计用于与逻辑系统中的可控硅接口，用于从115/240 VAC电源供电的设备，如固态继电器、工业控制、电机、电磁线圈和消费电器等。
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CNY171, CNY172, CNY173, CNY174, CNY17F1, CNY17F2, CNY17F3, CNY17F4, MOC8101, MOC8102, MOC8103, MOC8104, MOC8105, MOC8106, MOC8107, MOC8108 Phototransistor Optocouplers CNY17X, CNY17FX, MOC810X是Fairchild Semiconductor Corporation生产的光电耦合器，具有高BV CEO (CNY17X/M, CNY17FX/M, MOC8106/7/8)、Closely matched current transfer ratio (CTR)、Very low coupled capacitance等特点。
FAIRCHILD FOD814 Series, FOD617 Series, FOD817 Series 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FOD814系列、FOD617系列和FOD817系列4针高工作温度光电耦合器的产品特点和特性。
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MOC3031M, MOC3032M, MOC3033M, MOC3041M, MOC3042M, MOC3043M 说明书 零电压过零检测（ZCD）器件，用途是将逻辑信号转换为可驱动晶闸管的交流电流信号。
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 6-PIN DIP RANDOM-PHASE OPTOISOLATORS TRIAC DRIVER OUTPUT (250/400 VOLT PEAK) 说明书 MOC301XM和MOC302XM系列是光电隔离的可控硅驱动器设备。这些设备包含一个GaAs红外发射二极管和一个光激活的硅双向开关，类似于一个可控硅。它们设计用于电子控制和功率可控硅之间的接口，以控制电阻性和感性负载，适用于115V交流操作。
FAIRCHILD FQP10N60C/FQPF10N60C 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation公司的FQP10N60C/FQPF10N60C型号的N沟道MOSFET产品。该产品采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP10N60C / FQPF10N60C 数据手册 FQP10N60C / FQPF10N60C 是 Fairchild Semiconductor Corporation 的 600V N-Channel MOSFET，具有 9.5A、600V、RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V、低门控电荷（典型 44 nC）、低 Crss（典型 18 pF）、快速开关、100% 雪崩测试和改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQP11N40C/FQPF11N40C 数据手册 该产品是一款400V N-Channel MOSFET，其特点包括10.5A、400V、RDS(on)=0.5 Ω @VGS=10V、低门控电荷（典型值为28 nC）、低Crss（典型值为85pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等。
FAIRCHILD FQP11N50CF/FQPF11N50CF 数据手册 FQP11N50CF/FQPF11N50CF是Fairchild生产的一款500V N-Channel MOSFET，具有11A电流、500V电压、0.55Ω导通电阻、43 nC栅极电荷、20pF跨导、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和90ns快恢复体二极管等特性。
FAIRCHILD FQPF11P06 数据手册 FQPF11P06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种60V P通道MOSFET。该器件适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQPF11P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 本文介绍了Fairchild公司生产的FQPF11P06型60V P-Channel MOSFET的特点和特性。这款产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于低压应用领域，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池操作产品中的高效率开关电源管理。
