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ROHM 2SD2114K 数据手册

2SD2114K是ROHM公司的一款NPN型中功率晶体管，具有高电流增益、高发射极-基极电压和低VCE(sat)特性

2SD1980是ROHM的一款功率晶体管，最大集电极-发射极电压为100V，最大集电极电流为2A。2SD1980具有高直流电流增益、内置基极-发射极电阻和内置阻尼二极管。2SD1980与2SB1316互补。

2SD1949/2SD1484K是一款50V，0.5A的中功率晶体管。它的主要特点是高电流和低饱和电压。

该文件介绍了ROHM公司的一款功率晶体管产品，型号为2SD1918 / 2SD1857A，特点包括高击穿电压、低集电极输出电容、高过渡频率，适用于与2SB1275互补使用。

该文件介绍了ROHM公司的2SD1898和2SD1733功率晶体管。这些晶体管具有高VCEO和IC、良好的hFE线性和低的VCE (sat)。它们适用于各种应用。

2SD1834是一种中功率晶体管，额定电压为60V，额定电流为1A。它具有高直流电流增益（典型值，直流电流增益为15000，Vce=3V，IC=0.5A）和高输入阻抗。

2SD1782K 是 ROHM 生产的 NPN 硅晶体管，其特点是 VCE(sat) 低，VCEO 高，可用于 80V 电压电路。

2SD1781K Transistors 是一种中功率晶体管，额定电压为 32V，电流为 0.8A。该晶体管具有非常低的 VCE(sat)，典型值为-0.1V(IC / IB= 500mA / 50mA)，高电流容量，紧凑的封装。

2SD1757K是三极管，具有低Vce(sat)特性，适用于静音场合。

2SD1383K是ROHM公司生产的高增益放大器晶体管，最大集电极-发射极电压为32V，最大集电极电流为0.3A。2SD1383K具有以下特点：1、达林顿连接，大电流增益高；2、内置4kΩ电阻，在基极和发射极之间；3、与2SB852K互补。

该数据表提供了DTC015T系列NPN 100mA 50V数字晶体管的特性参数。该系列晶体管具有内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。

DTB113EK 是 ROHM 推出的一款数字晶体管，采用 SMT3 封装，带有内置电阻，应用于逆变器、接口、驱动等场景

DTB113ZK是ROHM推出的一款数字晶体管，具有-500mA / -50V的额定电流和电压。该晶体管具有内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。该晶体管的结构是PNP型硅晶体管，封装类型为SMT3。

该数据手册介绍了ROHM公司的DTB114EK PNP数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）的产品特点和规格。该晶体管具有内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可构建反相电路。

DTB123EK是ROHM公司生产的一种数字晶体管，具有内置偏置电阻，可构成无需连接外部输入电阻的逆变电路。