ROHM 说明书 - 说明书库

ROHM QS8J4 说明书

QS8J4是一款P-通道MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装和低电压驱动等特点，适用于开关应用。

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该文件介绍了ROHM公司的1.5V驱动Pch + Pch MOSFET QS8J12的特点和特性，包括低导通电阻、小型高功率封装和低电压驱动等。

QS8J11是ROHM公司生产的一款Pch + Pch MOSFET，其特点是低导通电阻、小型高功率封装、低电压驱动（1.5V驱动）。

QS6M4是双管MOS管，其特点是低开关损耗，低驱动电压，适用于负载开关和逆变器等应用。

QS6M3是由东芝生产的一款Nch+Pch MOSFET，其特点是低导通电阻，内置G-S保护二极管，封装形式为TSMT6。该产品适用于电源开关、DC/DC转换器等应用场合。

这份数据表介绍了QS6K21这个产品的特性，包括封装、外形尺寸、最大工作电压、最大电流、最大功率等信息

QS6K1 Nch+Nch MOS FET数据手册

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QS5K2是Nch+Nch MOSFET，具有低RDS（on），适用于开关应用。

QSX6 低频放大器，具有大电流和低 VCE(sat) 特性，适用于低频放大器、驱动器等应用。

QSX5是一款低频放大器驱动器，具有大的集电极电流和低的饱和电压。

QSX4 Transistors是ROHM公司生产的一款低频放大器，最大集电极电流为1.5A，集电极-发射极饱和电压为370mV。

qsx3是rohm公司的一款低频放大器，具有大电流和低压降的特点。主要应用于驱动电路。

QSX1 是 ROHM 生产的一款通用放大器，可以用于低频放大。其特点是集电极电流大，集电极饱和电压低。