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ROHM Transistors 2SB1198K Low-frequency Transistor

2SB1198K是一种低频晶体管，额定电压为80V，额定电流为0.5A。其特点是低压失真，击穿电压高，兼容2SD1782K。

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该文档介绍了2SB1316功率晶体管的特点和特性，包括高直流电流增益的达林顿连接、基极和发射极之间的内置电阻、内置阻尼二极管等。

该文档主要介绍了2SB1427这款功率晶体管的特性，包括外部尺寸、绝对最大额定值、封装规格和电气特性等。

该文件介绍了一款名为2SB1561的中功率晶体管的特点和特性。该晶体管具有低饱和电压、高电压和功率承受能力以及与2SD2391互补的特点。

2SB1590K是东芝推出的一款低压大功率NPN晶体管，其最大集电极电流可达-1A，典型饱和电压仅为-0.3V。该晶体管采用SOT-323封装，外形尺寸为2.8mm*1.6mm*0.4mm。

2SB1689是ROHM公司的一款低频放大器驱动器，其特点是集电极电流大，集电极饱和电压低。

2SB1690 晶体管广泛用于低频放大器，具有大电流和低饱和电压的特点。

2SB1690K是一种通用放大器，适用于低频放大和驱动。它具有大的集电极电流和低的集电极饱和电压。外形尺寸为ROHM:SMT3，EIAJ:SC-59，JEDEC:SOT-346。

2SB1694 是 ROHM 的一种 NPN 晶体管，其特点是具有大电流和低饱和电压。2SB1694 的最大集电极-发射极电压为 -30V，最大集电极电流为 -1A。2SB1694 适用于低频放大器和驱动器。

2SB1695是一款低频放大器驱动器，具有大电流、低压饱和电压的特点。

2SB1695K是一款低频放大器驱动器，具有大的集电流和低的饱和电压。外部尺寸为ROHM的SMT3封装，EIAJ的SC-59封装，JEDEC的SOT-346封装。

2SB1697是一款低频放大器，特点是VCE（sat）≤-180mV（IC/IB=-1A/-50mA），额定工作电压为-12V，额定工作电流为-2A。

2SB1698是罗姆半导体公司的低频放大器驱动器产品，其特点是集电极电流很大，集电极-发射极饱和电压低。

2SB1705是低频放大器，具有大电流和低饱和电压的特点。