ATMEL 说明书

AT29C512是一种5V供电的系统内Flash可编程和可擦除只读存储器(PEROM)，具有快速读取访问时间、扇区编程操作、硬件和软件数据保护等特点。

1

AT49BV640S是Atmel公司生产的一款2.7伏32兆字节的闪存存储器，组织为4,194,304个16位字，内存被分为135个扇区用于擦除操作。该设备采用64球CBGA封装，具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。该设备可以读取或重新编程

本文件介绍了AT49BV640D(T)存储器的特点特性

AT49SV322D(T)是一款1.8伏特的32兆位闪存，具有单电压读/写操作，80纳秒的访问时间，63个32K字（64K字节）扇区和8个4K字（8K字节）扇区，支持快速字编程时间，低功耗操作等特点。

AT49BV320S(T)是Atmel公司的一款32Mbit闪存存储器，具有64K字节的63个扇区和8K字节的8个扇区，支持单电压读/写操作。

AT49BV320D(T)是一个2.7伏特的32兆位闪存，组织成2,097,152个16位字。内存分为71个扇区用于擦除操作。该器件采用48引脚TSOP封装和47球CBGA封装。该器件具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。该器件可以使用单一电源进行读取或重新编程，使其非常适合在系统编程中使用。设备在读取模式下启动。命令序列用于将设备置于其他操作模式。

本文件是AT49BV163D(T)产品的介绍手册,介绍了产品的特点特性

AT49BV160S(T)是Atmel公司的一种2.7伏16兆字节闪存器，具有39个扇区可供擦除，支持单电压读/写操作。

AT49BV160D(T)是16兆字节的闪存，具有32K字(64K字节)的扇区擦除架构，每个扇区有单独的写锁定。它具有快速的字写入时间(10微秒)和快速的扇区擦除时间(100毫秒)。该设备可以使用单个电源进行读取或重新编程，因此非常适合系统内编程。

该文档介绍了AT49BV802D(T)产品的特点和特性，包括单电压读写操作、访问时间、扇区擦除架构、快速字节/字编程时间、低功耗操作等。

1

AT29BV040A是一款3伏特的只读内存(PEROM)

该文档介绍了AT29LV020产品的特点和特性，包括单电压供电、3V至3.6V供电范围、快速读取访问时间、低功耗等。

AT29BV020 是一款单电压 2.7 伏，供读写的 Atmel 低压闪存产品，其 2 兆字节的存储器组织为 262,144 个字，每个字 8 位。AT29BV020 采用 Atmel 先进的非易失性 CMOS EEPROM 技术制造，具有 120 纳秒的访问时间和 54 毫瓦的低功耗。当设备未被选中时，CMOS 待机电流小于 50 µA。设备的耐久性使得任何扇区都可以典型地写入超过 10,000 次。AT29BV020 的编程算法与 Atmel 低压闪存系列产品中的其他设备兼容。为了允许简单的在系统重新编程，AT29BV020 不需要高输入电压进行编程。该设备可以使用单一 2.7V 至 3.6V 电源操作。从设备中读取数据时，内部地址和数据锁存器可保持 256 字节的地址和数据。两块 8K 字节的引导块具有锁定功能，并且在 AT29BV020 上具有 1024 个扇区（每个扇区 256 字节）。