INFINEON SPP08N80C3, SPI08N80C3 SPA08N80C3 说明书 SPP08N80C3, SPI08N80C3 SPA08N80C3 是一款 800 V 低压降、高电流功率晶体管，采用全新的革命性高压技术，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON IPA60R125CP 说明书 IPA60R125CP CoolMOS是世界上最小的N沟道MOSFET，导通电阻为0.125欧姆，具有极低的门控电荷，高峰电流能力，并通过JEDEC认证，符合RoHS标准。
INFINEON SMBT2222A/MMBT2222A 说明书 该文件介绍了2006年发布的SMBT2222A/MMBT2222A型号的NPN硅开关晶体管的特点和特性，包括高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等。
infineon BTS650P 数据手册 BTS650P是一款高侧高电流功率开关，具有以下特点：过载保护、电流限制、短路保护、过热保护、过电压保护（包括负载掉电保护）、负载输出钳位、快速断开感性负载、低电阻反向电流操作、开路负载检测、VBB丢失保护、静电放电保护。
INFINEON BTS409L1 说明书 BTS409L1是Infineon Technologies AG公司生产的一款高侧功率开关，具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过电压保护、快速去磁等特点。它应用于12 V和24 V直流接地的负载，可替代机械继电器、保险丝和离散电路。
INFINEON SPP17N80C3/SPA17N80C3 说明书 该文件介绍了SPP17N80C3和SPA17N80C3两款Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新型高压技术、全球最佳的RDS(on)值、超低门电荷、周期性雪崩耐受能力、极高的dv/dt耐受能力、超低有效电容、改进的跨导等。
INFINEON IPB60R125CP CoolMOS Power Transistor 说明书 该文档介绍了IPB60R125CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的导通电阻乘电荷（RONxQg），超低的栅极电荷，极高的dv/dt耐受能力，高峰值电流能力等。该产品适用于服务器和电信领域的硬开关拓扑。
INFINEON IPI60R600CP CoolMOS Power Transistor 说明书 该文件介绍了IPI60R600CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的R ON x Qg值、超低的门电荷、极限dv/dt值、高峰值电流能力等。
INFINEON SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 说明书 该文件介绍了SPP20N65C3, SPA20N65C3和SPI20N65C3三种Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的RDS(on)、超低的栅极电荷、周期性雪崩能力、极高的dv/dt能力、高峰值电流能力和改进的跨导。
INFINEON BSS139 说明书 BSS139是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET器件，其最大额定电压为250V，最大持续电流为0.1A，最大脉冲电流为0.4A，最小门限电压为-1.4V，最大漏源导通电阻为30Ω。
INFINEON IPI60R520CP 说明书 IPI60R520CP CoolMOSTM Power Transistor是英飞凌公司的一款功率晶体管，该产品具有最低功率损耗、超低栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和高可靠性等特点，适用于硬开关SMPS拓扑结构。
