infineon Data Sheet TLE6282G 说明书 这是一款双半桥驱动器IC，兼容低电阻输入的N通道MOSFET，具有独立的MOSFET输入、PWM频率高达50kHz、工作电压低至7.5V、低EMC敏感度和发射、可调死区时间和开关保护、可禁用死区时间和开关保护、每个MOSFET短路保护、驱动器欠压关断、驱动器IC反极性保护、禁用功能、TTL输入特征、1位诊断、集成引脚二极管等功能。
infineon TLE6282G Dual Half Bridge Driver IC 说明书 TLE6282G是一款双半桥驱动器IC，具有多重保护功能，可用于12、24和42V电源网络应用中DC-brush高电流电机桥的PWM控制模式，并可用作单极4相电机驱动的四倍低侧驱动器。
infineon TLE6284G 1 2006-01-30 H-Bridge Driver IC 说明书 TLE6284G是一款H桥驱动器IC，兼容低阻正常电平输入N沟道MOSFET，可以用于12、24和42V电源网络应用的DC-刷高电流电机桥中，在PWM控制模式下工作，频率可达50kHz。
infineon LIN-Transceiver LDO TLE 6285 说明书 TLE 6285是一种单线收发器，带有LDO。它是P-DSO-16-4封装中的芯片级集成电路。它作为协议控制器和物理总线之间的接口。TLE 6285特别适用于驱动汽车和工业应用中的LIN系统中的总线线路。此外，它还可以用于标准ISO9141系统。为了降低电流消耗，TLE 6285提供了睡眠操作模式。在此模式下，可以控制电压调节器，以最小化整个应用的电流消耗（VR在睡眠模式下<1µA！）。虽然本机电压调节器（VR）是为该应用设计的，但也可以使用外部电压调节器。
infineon SPW20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW20N60C3是鼎好旗下的一款高压功率晶体管，其最大电压为650V，额定电流为20.7A，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力和改善的传导率等特点。
infineon SPW20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW20N60C3是鼎好品牌的一款功率晶体管，其特点是新革命的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力、改进的传导率。
infineon SPW20N60CFD Cool MOS Power Transistor(1)(1) SPW20N60CFD是鼎好的一款高压功率晶体管，其特点是低门控电荷、极低的dv/dt，以及极低的反向恢复电荷。
infineon SPW20N60CFD Cool MOS Power Transistor(1) SPW20N60CFD是鼎好的一款功率晶体管，其最大电压为650V，额定电流为20.7A。该晶体管具有极低的栅极电荷、极低的反向恢复电荷、高峰值电流能力、内置快速恢复二极管等特点。
infineon SPW20N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPW20N60S5是一款高压功率晶体管，其最大电压为600伏，最小电阻为0.19欧姆，最大电流为20安培。该晶体管具有新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。
infineon SPW20N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该文档介绍了SPW20N60S5 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性击穿评级、极限dv/dt评级、超低有效电容和改进的跨导。
infineon SPW21N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW21N50C3是东芝推出的一款功率开关晶体管，采用TO247封装，其最大电压为560V，电流为21A。
infineon SPW24N60C3 CoolMOS Power Transistor 说明书 该文档介绍了SPW24N60C3 CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩额定、极端dv / dt额定、超低有效电容、改进的跨导等。
infineon SPW24N60C3 CoolMOS Power Transistor SPW24N60C3 是 CoolMOSTM 系列的功率晶体管，具有新颖的革命性高电压技术、超低门极电荷、周期性雪崩额定值、极端 dv /dt 额定值、超低有效电容和改进的传导率。
