TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP127 说明书 该数据手册详细介绍了TLP127的规格参数,包括应用领域、封装形式、绝对最大额定值、引脚配置、存储温度范围、工作温度范围、引脚焊接温度、总包装等。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP130 说明书(1)(1) 本文件为TLP130光电耦合器的资料,介绍了该产品的特点特性,如电流传输比、绝缘电压、最大电流等。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP130 说明书(1) TLP130是一种小型光耦合器,适用于表面贴装组装。它由光电晶体管和两个反向并联连接的砷化镓红外发光二极管组成,直接由交流输入电流驱动。其特点包括:集电极-发射极电压为80V(最小值)、电流传输比为50%(最小值)、绝缘电压为3750Vrms(最小值)、通过UL认证等。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP131 说明书(1)(1) TLP131是TOSHIBA生产的一款光电耦合器,具有小巧的外形,适合表面贴装。该产品具有光电耦合器的典型特点,包括光电隔离、电流传输比等。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP131 说明书(1) TLP131是一种小型光耦合器,适用于表面贴装组装。它由光电晶体管和镓砷化物红外发射二极管组成。具有80V(最小)的集电极-发射极电压、50%(最小)的电流传输比、3750Vrms(最小)的绝缘电压等特点。适用于办公设备、可编程控制器、通信设备等领域。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP131 说明书(2) TLP131是一种小型光耦合器,适用于表面贴装组装。它由光晶体管和砷化镓红外发光二极管光耦合而成。具有80V的集电极-发射极电压,50%的电流传输比,3750Vrms的绝缘电压。
TOSHIBA Photocoupler GaAs IRed & Photo−Transistor TLP137 说明书(1)(1) TLP137是一款TOSHIBA光耦合器,适用于表面贴装组装。它由砷化镓红外发光二极管和光电晶体管光耦合而成,具有低输入电流下的高电流传输比。
TOSHIBA Photocoupler GaAs IRed & Photo−Transistor TLP137 说明书(1) TLP137是一种小型平面耦合器,适用于表面安装组装。它由砷化镓红外发光二极管和光耦合的光电晶体管组成,可在低输入电流下提供高CTR。TLP137的基极终端用于提高速度,减少暗电流,并实现操作。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP141G 说明书 TLP141G是一种TOSHIBA光耦合器,适用于表面贴装组装。它由光敏晶体管和镓砷化物红外发光二极管光耦合而成。具有400V的峰值关断电压,10mA的触发LED电流,150mA的导通电流,2500Vrms的绝缘电压。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP141G 说明书 该文档主要介绍了TLP141G光耦合器的特点特性,包括额定电压、电流、温度等,是一款适合表面贴装的光耦合器。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo-Triac TLP160G 说明书 tlp160g是东芝推出的一款光电耦合器,具有小外形、高可靠性、高隔离度、低电压驱动等特点。