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更新: 28 September, 2023
该文档介绍了RA30H4552M1和RA30H4047M1的静电敏感性测试结果,说明了这两款产品使用MOS FET器件,相比硅双极器件具有较低的耐浪涌能力,并且在受到静电或浪涌时可能会烧毁。
文件格式: PDF
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MD5: 13AAD1A2158C751C641B09BD4ADC2A9B
发布时间: 21 March, 2012
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连接: MITSUBISHI ELECTRIC AN-UHF-083-D 说明书 PDF