MITSUBISHI ELECTRIC AN-UHF-083-D 说明书
该文档介绍了RA30H4552M1和RA30H4047M1的静电敏感性测试结果，说明了这两款产品使用MOS FET器件，相比硅双极器件具有较低的耐浪涌能力，并且在受到静电或浪涌时可能会烧毁。
厂商: 三菱
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上传时间: 2012-03-21 18:16:00
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