MITSUBISHI ELECTRIC MGF1601B 说明书

更新: 30 September, 2023

MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET,设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB,适用于微带电路。


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发布时间: 21 March, 2012

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