MITSUBISHI ELECTRIC MGF1601B 说明书
MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET，设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB，适用于微带电路。
厂商: 三菱
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上传时间: 2012-03-21 14:33:00
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