NXP high voltage power bipolar transistors BUJ & PHx series 说明书

更新: 30 September, 2023

NXP BUJ和PHx系列高压功率双极晶体管采用平面技术,具有业界领先的性价比。高电压(高达1200 V)能力适用于推拉技术。快速的开关时间和低的VCEsat等级结合在一起可降低开关和传导损耗。精心控制的hFE参数减少了分带或选择的需要,使设计更容易,并延长了可靠性。集成二极管的版本减少了元件计数并进一步简化了设计。


文件格式: PDF

体积: -

MD5: F365ADC8E0B35CC46AEA4A9B8F9041F5

发布时间: 22 March, 2012

下载: -

连接: NXP high voltage power bipolar transistors BUJ & PHx series 说明书 PDF

Also Manuals