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更新: 30 September, 2023
本文件介绍了NXP 800 mA低VCEsat (BISS) RETs PBRN和PBRP系列的特点，包括了内置偏置电阻、高电流增益hFE、800 mA重复峰值输出电流、低集电极-发射极饱和电压VCEsat、±10%电阻容差、四种电阻组合等。
文件格式: PDF
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MD5: 27F749EA94FF4B22BE5C6A00ED2725F6
发布时间: 22 March, 2012
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连接: NXP 800 mA low VCEsat (BISS) RETs PBRN and PBRP series 说明书 PDF