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更新: 28 September, 2023
Atmel的Flash存储器具有可编程可擦除只读存储器的特点,采用先进的亚微米工艺和高效的存储单元来存储数据。它使用Fowler-Nordheim隧道效应进行擦除和编程,需要较低的编程电流,并且支持扇区编程。与第一代Flash存储器相比,它具有更简单的硬件实现和更灵活简单的编程命令。
文件格式: PDF
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MD5: 3EA863ACDA7B91F1AFF66C4438ACD769
发布时间: 27 March, 2012
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连接: Atmel AT29 Flash Memories 说明书 PDF