intersil HIP1020 数据手册

HIP1020是一种单、双或三输出热插拔控制器，通过线性电压斜坡应用于3.3V、5V和12V MOSFET的栅极。内部电荷泵将12V偏置增加一倍或将5V偏置增加三倍，以提供使用更具成本效益的N通道MOSFET时所需的高侧驱动能力。内部控制的上升时间符合设备机架规格。如果需要较慢的速率，可以使用可选的外部电容器覆盖内部确定的上升时间。当VCC = 12V时，电荷泵将HGATE上的电压从零上升到22V，大约需要4ms。这允许标准或逻辑电平MOSFET作为12V电源控制的高侧开关时完全增强。LGATE上的电压从零上升到16V，同时控制3.3V和/或5V MOSFET。当VCC = 5V时，电荷泵进入三倍电压模式。HGATE上的电压在大约3ms内从零上升到12.5V，而LGATE上升到12.0V。该模式非常适用于在无12V偏置的情况下控制用于3.3V和5V电源开关的高侧MOSFET开关。