三星 K4S511632M CMOS SDRAM 说明书(1)

更新: 30 September, 2023

K4S511632M是536,870,912位同步高速动态内存,由4 x 8,388,608字节x 16位组成,采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。


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MD5: 4747512944B4F7D69CB33745965AA3A1

发布时间: 01 April, 2012

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