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更新: 29 September, 2023
K4S51153LF是一种移动SDRAM，具有2.5V/2.5V或2.5V/1.8V的电压，适用于LVCMOS和多路复用地址。具有四个存储区，支持MRS和EMRS循环程序，并具有特殊功能支持。该产品具有部分阵列自刷新和温度补偿自刷新功能，还支持掩码和自动刷新等特性。
文件格式: PDF
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MD5: 691A382642850EBEA6B9B2A6C0DA50D4
发布时间: 01 April, 2012
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连接: 三星 K4S51153LF - Y(P)C/L/F Mobile SDRAM 说明书 PDF