IXYS IXTH 20N60 数据手册

更新: 01 October, 2023

IXTH 20N60 / IXTM 20N60是IXYS公司的N沟道增强型功率MOSFET,具有国际标准封装、低RDS(on)、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感(<5nH)、易于驱动和保护、快速开关时间等特点。应用于开关模式和谐振模式电源供应、电机控制、不间断电源供应(UPS)和DC斩波器。


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MD5: B629FCCD607543D22E7D34DC7384A32E

发布时间: 10 April, 2012

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