IXYS IXTH 20N60 数据手册

IXTH 20N60 / IXTM 20N60是IXYS公司的N沟道增强型功率MOSFET,具有国际标准封装、低RDS(on)、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感(<5nH)、易于驱动和保护、快速开关时间等特点。应用于开关模式和谐振模式电源供应、电机控制、不间断电源供应(UPS)和DC斩波器。


厂商: IXYS

文件类型: PDF

文件大小: 106 KB

文件校验: B629FCCD607543D22E7D34DC7384A32E

上传时间: 2012-04-10 18:04:00

下载统计: 1468

PDF链接: IXYS IXTH 20N60 数据手册 PDF

相关说明书