ST M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册
M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 具有 70ns 访问时间，10µs 每字节/字的编程时间，支持双字/四字编程，支持快速编程 (可选) 的 VPP = 12V，支持 8Mbit+24Mbit 双层存储阵列，支持顶部或底部位置的参数块，支持在某个存储块中读取的同时在另一个存储块中编程或擦除，支持擦除暂停和恢复模式，支持读取和编程另一个块期间的擦除暂停，支持绕过编程命令的解锁，支持 VPP/WP 引脚的快速编程和写保护，支持临时块未保护模式，支持 64 位安全代码，支持扩展存储块，支持低功耗，支持待机和自动待机，支持每块 100,000 次编程/擦除周期，支持电子签名 (制造商代码: 0020h，顶部设备代码 M29DW323DT: 225Eh，底部设备代码 M29DW323DB: 225Fh)。
厂商: ST
文件类型: PDF
文件大小: 1028 KB
文件校验: DDFCA9A3887BB63E1AD5B0747686FF65
上传时间: 2012-04-11 15:56:00
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