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更新: 30 September, 2023
AT45DB011B是1MB的2.7伏特只有数据闪存，专为各种数字语音，图像，程序代码和数据存储应用而设计。它的1081,344位内存组织为512页，每页264字节。除了主存储器之外，AT45DB011B还包含一个264字节的SRAM数据缓冲区。缓冲器允许在主存储器中的页面正在重新编程时接收数据。EEPROM模拟（位或字节可变性）可通过内置的三步读 - 修改 - 写操作轻松处理。不同于使用多个地址线和并行接口随机访问的传统闪存，数据闪存使用串行接口，该接口仅使用一个地址线。AT45DB011B支持单个页面和块擦除操作。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 9C9387C36E06744294230D54E5B98467
发布时间: 12 April, 2012
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