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更新: 28 September, 2023
这份文件介绍了FQP7N65C/FQPF7N65C型号的650V N沟道MOSFET的特点。它采用了Fairchild公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 373FDAF19A14E75BBD76DBB38DD483D1
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET 说明书 PDF