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更新: 28 September, 2023
这份文件介绍了一款P-Channel逻辑电平MOSFET的特点和特性。该MOSFET采用了先进的Power Trench工艺，具有低导通电阻和低门极电荷，以实现卓越的开关性能。该器件适用于便携式电子设备应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
文件格式: PDF
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MD5: 06B73A24EE47315761D6CC423D72DDE3
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FDN340P SingleP-Channel, LogicLevel, PowerTrench MOSFET 说明书 PDF