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更新: 30 September, 2023
本文件是关于FDN352AP的技术资料，该产品是一款P通道MOSFET，其特点是R DS(ON)非常低，而且封装采用了SOT-23，适用于低电压和电池供电的应用场景
文件格式: PDF
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MD5: 88F8FD9289D6DB06514E41924C6DD1BE
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(2) PDF