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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了1998年3月发布的FDN358P P-Channel逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性，包括其最大耐压、最大功耗、工作温度范围等。
文件格式: PDF
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MD5: 7145147FD0638E05D67A7FFDDA0801A4
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 PDF