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更新: 30 September, 2023
FQPF3N80是Fairchild公司生产的800V N沟道MOSFET，其特点是1.8A、800V、RDS(on) = 5.0Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为7.0 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
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MD5: FBA7CAF55A0E3BF2CEC9C24E0CC96F4D
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FQPF3N80 数据手册 PDF