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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了一种N-Channel MOSFET产品，采用高密度TrenchFET Gen II功率MOSFET技术，具有超低导通电阻和优化的Qg值。同时，该产品采用了新的低热阻PowerPAK封装，具有低1.07毫米的厚度。该产品主要适用于低侧DC/DC转换、同步整流和POL等应用场景。
文件格式: PDF
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MD5: 7C6F4545746F7E052EAE8D2F62482B02
发布时间: 04 May, 2012
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