西门子 BUZ 91 SIPMOS Power Transistor 数据手册
该文档介绍了BUZ 91半导体功率晶体管的特点和特性。它是一种N沟道增强型功率晶体管，具有600V的漏源击穿电压、8.5A的连续漏极电流和0.8Ω的漏源电阻。该晶体管还具有抗电击能力和低漏极电阻。它适用于各种功率应用。
厂商: 西门子
文件类型: PDF
文件大小: 109 KB
文件校验: 0B1B4362D325AA8E9DD527EB942E8629
上传时间: 2012-05-07 17:32:00
下载统计: 579
PDF链接: 西门子 BUZ 91 SIPMOS Power Transistor 数据手册 PDF