西门子 BUZ 91 SIPMOS Power Transistor 数据手册
该文档介绍了BUZ 91半导体功率晶体管的特点和特性。它是一种N沟道增强型功率晶体管，具有600V的漏源击穿电压、8.5A的连续漏极电流和0.8Ω的漏源电阻。该晶体管还具有抗电击能力和低漏极电阻。它适用于各种功率应用。
厂商: 西门子
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上传时间: 2012-05-07 09:32:00
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