PHILIPS PMWD18UN Dual N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Rev. 02 — 23 February 2004
该文件介绍了PMWD18UN型双N沟道超低电平场效应晶体管的特点和特性，包括使用TrenchMOS™技术、低阈值、快速开关等。
厂商: 飞利浦
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上传时间: 2012-05-07 10:26:00
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