SGS-THOMSON STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR数据手册
STP20N10是一款N通道增强型功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.09欧姆，具有100%的雪崩测试，重复雪崩数据在100oC，低栅极电荷，高电流能力，175oC的操作温度和应用导向的特性。
厂商: SGS-THOMSON
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上传时间: 2012-05-07 18:36:00
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