ST L6571A/L6571B 数据手册
L6571A和L6571B是意法半导体推出的高压半桥驱动器，内置振荡器，可使用外部电阻和电容对振荡器频率进行编程。内部电路还允许通过外部逻辑信号驱动该器件。输出驱动器专为驱动外部N沟道功率MOSFET和IGBT而设计。内部逻辑保证了死区时间，以避免功率器件的交叉导通。两种版本可供选择：L6571A和L6571B。它们在内部死区方面有所不同：1.25µs和0.72µs（典型）。
厂商: ST
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上传时间: 2012-05-07 11:03:00
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