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更新: 30 September, 2023
该文档介绍了LTC3831，这是一款高功率、高效率的DDR内存终端开关电源控制器。该器件采用N沟道MOSFET同步开关架构，输出电压为外部电源或参考电压的1/2。LTC3831可以感应输出电流，并通过上管N沟道MOSFET的漏-源电阻进行调节，从而无需电流检测电阻即可实现可调电流限制。该器件可以以低至3V的电源电压工作，最大占空比为>91%。它包括一个固定频率PWM振荡器，可实现低输出纹波操作。
文件格式: PDF
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MD5: 500B2B406E6072C9F894648D91603A2E
发布时间: 09 May, 2012
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