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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了2SK1167和2SK1168硅N沟道MOS FET的应用，其特点包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿，并适用于开关稳压器和DC-DC转换器。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 39CAEC4CB2375B9E29F57D298215203E
发布时间: 01 June, 2012
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连接: HITACHI 2SK1167, 2SK1168 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 PDF