DALLAS DS1245Y/AB 说明书
该DS1245Y/AB 1024k Nonvolatile SRAM 具有10年以上的数据保留时间，并且在掉电时可自动保护数据。它可以替代128k x 8的易失性静态RAM、EEPROM或闪存，具有无限的写入周期，并且为低功耗CMOS。读取和写入访问时间最快可达70ns。锂能量源在首次供电之前是电气断开的，以保持新鲜度。
厂商: DALLAS
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上传时间: 2012-06-01 14:51:00
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