DALLAS DS1345Y/AB 说明书
DS1345 1024k 非易失性 SRAM 具有 1,048,576 位,完全静态,非易失性 SRAM,组织为 131,072 个字节,由 8 位组成。每个 NV SRAM 都有一个自包含的锂能量源和控制电路,该电路会不断监视 VCC 以检测电源故障,并在 VCC 重新上电期间将处理器保持在复位状态。
厂商: DALLAS
文件类型: PDF
文件大小: 211 KB
文件校验: 1877118E6BBB602BB1EF58A5C7E8F616
上传时间: 2012-06-01 14:51:00
下载统计: 407
PDF链接: DALLAS DS1345Y/AB 说明书 PDF