Honeywell HX66656 说明书

32Kx8辐射硬化ROM是一款高性能32768字x8位只读存储器，具有行业标准功能。它采用霍尼韦尔的辐射硬化技术制造，专为在辐射环境中运行的系统而设计。ROM可在整个军用温度范围内工作，仅需单一5V ± 10%电源。ROM可提供TTL或CMOS兼容I/O。在正常运行时，功耗通常低于15 mW/MHz，在未选中时低于5 mW。ROM操作是完全异步的，其典型访问时间为14ns。霍尼韦尔增强的SOI RICMOS™IV（辐射不敏感CMOS）技术通过使用先进和专有的设计、布局和工艺硬化技术进行了辐射硬化。RICMOS™IV工艺是一项5伏特、SIMOX CMOS工艺，具有150Å栅氧化物和0.75µm（0.6µm有效栅长——Leff）的最小绘制特征尺寸。其他功能包括钨通孔、霍尼韦尔专有的SHARP平面化工艺以及轻掺杂漏极（LDD）结构，以提高短沟道可靠性。