SAMSUNG KM416C4000C,KM416C4100C CMOS DRAM 数据手册
KM416C4000C 和 KM416C4100C 是两个 CMOS DRAM 芯片，它们都是 4Mx16 位 Fast Page Mode DRAM，具有高速随机访问内存单元的能力。它们的刷新周期（4K Ref. 或 8K Ref.）和访问时间（-5 或 -6）都是可选的，并且它们都具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。这些芯片使用 Samsung 的先进 CMOS 工艺制造，实现了高带宽、低功耗和高可靠性。
厂商: 三星
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上传时间: 2012-06-05 15:40:00
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