FAIRCHILD Si9926DY DATA SHEET

这份文档介绍了Fairchild Semiconductor的Si9926DY双路N沟道2.5V规定功率MOSFET的特点和特性。它采用了Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，适用于具有宽范围栅极驱动电压（2.5V-10V）的功率管理应用。

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上传时间: 2012-06-06 11:19:00

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