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更新: 30 September, 2023
30N60P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为30A，导通电阻小于240mΩ。产品具有快速恢复二极管、无钳位感性开关(UIS)额定、国际标准封装、低封装电感等特点。
文件格式: PDF
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MD5: D7102041B641B608B27F21BA5BB01C9D
发布时间: 07 June, 2012
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连接: IXYS IXTH 30N60P, IXTQ 30N60P, IXTT 30N60P, IXTV 30N60P, IXTV 30N60PS 数据手册 PDF