intersil HUF75631SK8 数据手册
该文件介绍了一种名为HUF75631SK8的N沟道超低阻抗功率MOSFET器件，特点是具有超低导通电阻和温度补偿的模拟模型，并提供了模拟和热阻抗模型。该器件具有5.5A的峰值电流和100V的漏极到源极电压。
厂商: intersil
文件类型: PDF
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上传时间: 2012-06-11 17:42:00
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