FAIRCHILD FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET 数据手册
这份文件介绍了Fairchild Semiconductor International于2000年4月发布的FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关电源。
厂商: Fairchild
文件类型: PDF
文件大小: 581 KB
文件校验: 00FAE97CB856299A9CF854BB77C0623E
上传时间: 2012-06-11 18:39:00
下载统计: 383
PDF链接: FAIRCHILD FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET 数据手册 PDF