FAIRCHILD FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET 数据手册
这份文件介绍了Fairchild Semiconductor International于2000年4月发布的FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关电源。
厂商: Fairchild
文件类型: PDF
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上传时间: 2012-06-11 10:39:00
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