intersil FSL9130D, FSL9130R 5A, -100V, 0.680 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs 数据手册
该文件介绍了一系列辐射硬化MOSFET器件，特别适用于商业和军事空间应用。这些器件具有增强的功率MOSFET对单事件效应（SEE）的抗干扰能力，特别是对单事件门极破裂（SEGR）具有较高的免疫力。同时，它们还具有100K RADS的总剂量硬化性能，适用于恶劣的太空环境。这些器件还具有军事应用所需的剂量率和中子容忍度。
厂商: intersil
文件类型: PDF
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文件校验: 3E9BB24732A0DF1C49757C8AD833CFDD
上传时间: 2012-06-12 20:46:00
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