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更新: 29 September, 2023
这份文件介绍了IXYS的HiPerFETTM功率MOSFET产品。该产品采用双金属工艺，具有低栅极电阻、国际标准封装、阻燃性能符合UL 94 V-0等特点。此外，该产品还具有低RDS(on)、低Qg、耐电压冲击和电流冲击等特性，适用于多种应用场景，如DC-DC转换器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器等。
文件格式: PDF
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MD5: 7180412BAD9D1DAA5ADD2F3ECBFA3713
发布时间: 15 June, 2012
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连接: IXYS IXFH14N100Q2 数据手册 PDF