IXYS IXFH 66N20Q IXFT 66N20Q 数据手册

更新: 28 September, 2023

该文档介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET系列产品的特点和特性,包括先进的低Qg工艺、国际标准封装、低栅极电荷和电容、低RDS(on)、抗击穿能力强等优点。


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发布时间: 15 June, 2012

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