Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK436W-1000B Product specification
BUK436W-1000B是菲利普斯半导体生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管，封装方式为SOT429（TO247），工作电压为1000V，最大电流为3.1A，最大功耗为125W。
厂商: 飞利浦
文件类型: PDF
文件大小: 53 KB
文件校验: 161BBE35FDBD2F70DC19F35AD539659C
上传时间: 2012-07-05 16:39:00
下载统计: 447
PDF链接: Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK436W-1000B Product specification PDF