PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册(1)
BUK456-1000B是飞利浦半导体的N沟道增强型场效应功率晶体管，封装为TO220AB，额定漏源电压为1000V，额定漏极电流为3.1A，额定总功耗为125W。
厂商: 飞利浦
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上传时间: 2012-07-05 16:42:00
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