NXP BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor Rev. 01 — 21 January 2008 Preliminary data sheet
BLF6G10LS-200R是NXP推出的一款200W LDMOS功率晶体管,适用于基站应用,频率范围为800MHz至1000MHz。
厂商: NXP
文件类型: PDF
文件大小: 83 KB
文件校验: CFFA1CB51BF66709865A5F944FD9B76D
上传时间: 2012-07-06 00:58:00
下载统计: 619
PDF链接: NXP BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor Rev. 01 — 21 January 2008 Preliminary data sheet PDF