FAIRCHILD FCP9N60N / FCPF9N60NT 说明书
FCP9N60N / FCPF9N60NT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高压超结MOSFET，采用深沟填充工艺，具有0.33Ω（典型值）@ VGS = 10V，ID = 4.5A的低RDS（on），低门极电荷（典型值Qg = 22nC），低有效输出电容，100％雪崩测试，符合RoHS标准
厂商: Fairchild
文件类型: PDF
文件大小: 907 KB
文件校验: B6CF1066EB876936826142A4E56647D3
上传时间: 2012-07-11 10:41:00
下载统计: 476
PDF链接: FAIRCHILD FCP9N60N / FCPF9N60NT 说明书 PDF