FAIRCHILD FDC6303N 说明书
FDC6303N是双N沟道逻辑级增强型场效应晶体管,采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术制造,具有很低的导通电阻。该器件专为低压应用而设计,可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻,这种N沟道FET可以替代具有不同偏置电阻的多个数字晶体管。
厂商: Fairchild
文件类型: PDF
文件大小: 79 KB
文件校验: 8E5C4ECB19F9BC0748F0A5F3CC6C9653
上传时间: 2012-07-11 10:41:00
下载统计: 461
PDF链接: FAIRCHILD FDC6303N 说明书 PDF