FAIRCHILD FDP80N06 N-Channel MOSFET 数据手册
FDP80N06是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 8.5mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 40A，低栅极电荷（典型值为57nC），低Crss（典型值为145pF），快速开关，改进的dv/dt能力，符合RoHS标准。
厂商: Fairchild
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上传时间: 2012-07-11 15:36:00
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