FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册
FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。
厂商: Fairchild
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上传时间: 2012-07-12 17:43:00
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