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更新: 30 September, 2023
FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。
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MD5: 25A1B240FD55C176F19ABFE9FAE6737E
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 PDF